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发布时间:2022-02-08 11:09:00 作者:瑞颐
开关电源工作在开关状态所以与生俱来存在较高的震荡工作频率和高
不过开关电源工作在开关状态所以与生俱来存在较高的震荡工作频率和高次谐波干扰,纹波和高次谐波散射较难控制,需要添加一系列辅助滤波电路加以改善。纹波抑制和杂散控制在开关电源成本中占了相当的比例,也是开关电源品质的关键。开关电源技术也在不断发展中,新的电路设计不断应用。现在一般较新款的可调直流稳压电源都是基于开关电源,只有少数对纹波和杂波散射指标特别高的产品才沿用线性电源架构。对于一般用户来说可调直流稳压电源是线性电源还是开关电源并不太重要,只要电源的指标和体积重量符合应用要求即可。
可调直流稳压电源的常见
可调直流稳压电源的常见电压电流指示方式有指针表头、LED8字数码管、单色液晶、VFD、彩色TFT、彩色OLED。除了指针表头外其它都属于数字直接显示,没有本质的区别,只是看上去是否豪华和显示内容的多少而已。LED 8字管应用,VFD显示漂亮,彩色TFT/OLED为现代产品采用。电压电流数字直接显示便于读数,这是他们优点,但对于有些用户需要监测变动的电流那么数字电流表就没有指针万用表好用了。对于一般用户我们还是建议选择数字显示的可调直流稳压电源产品。
SiC开关器件功率处理能力的一个实例
作为与硅器件的粗略“数量级”比较,基于 SiC 的 MOSFET 器件阻断电压是前者的 10 倍,开关速度约是其 10 倍,25℃ 时的导通电阻只有其一半或更小。同时,工作温度高可达 200℃(硅器件为 125℃),因而使热设计和热管理得以简化。SiC 开关器件功率处理能力的一个实例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14,1200 V、24 A 的 N 沟道 SiC 功率 MOSFET,RDS(on) 典型值为 105 mΩ。该器件具有良好的热阻特性,相对于施加的脉冲宽度能够迅速达到大值(图 3)。
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