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凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能

凭借较小的导通电阻及其在高温下的性能，如今 SiC 已成为下一代低损耗开关和阻断元件可行的候选材料。相较于硅器件，SiC 器件具有众多优势，因为后者具有更高的击穿电压及其他特性，包括：临界电场击穿电压更高，因而在给定的额定电压下工作时漂移层更薄，大幅减小导通电阻。导热率更高，因而在横截面上可以实现更高的电流密度。带隙更宽，因而高温下的漏电流较小。因此，SiC 二极管和 FET 常称为宽带隙 (WBG) 器件。

直流系统接地判别标准及处理

直流系统接地的处理：1) 直流接地判别标准：220V直流系统两极对地电压差超过40V或绝缘降低到25kΩ以下，110V直流系统两极对地电压差超过20V或绝缘降低到15kΩ以下，48V直流系统任一极对地电压有明显变化时或绝缘降低到1.7kΩ以下，应视为直流系统接地。2) 直流系统接地后，应立即查明原因，根据接地选线装置指示或当日工作情况、天气和直流系统绝缘状况，找出接地故障点，并尽快消除。3) 使用拉路法查找直流接地时，至少应由两人进行，断开直流时间不得超过3S。

硅稳压管并联稳压电路元件选择的第三步

对于并联稳压电路而言，限流电阻R2是整个电路工作好坏的关键。R2选择大，稳压效果较好，但功耗大(因为电阻功耗P=I2R)，同时要求输入电压增大，电源的效率就比较低。具体计算方法可参考硅稳压管并联稳压电路元件选择的第三步。整个电路的稳定度需要根据实际电路的要求来确定，如果稳定度不够，可以适当增加R1和UI，还可以选择β值较大、漏电流较小的调整管。为保证稳压电源的效率，输入电压一般不要选择过高，以不超过2 UI为宜。